半导体元件物理

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中文

6 时

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来自www.xuetangx.com

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3 序列
等级介绍
从21 九月 2015开始
以14 十二月 2015结束

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教学大纲

第一周课程概论 Introduction, Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibrium: 0-1 课程介绍、电子与半导体产业的演进; 0-2 半导体元件基本架构与类型、半导体元件与电路技术之发展; 0-3 元件技术发展走势; 1-1 半导体材料与晶体结构; 1-2 价键与能带; 1-3 本质载子浓度; 1-4 施体与受体; Chapter - 1 练习题

第二周 Current Transport Phenomena Equilibrium: 2-1 载子飘移(drift)-1; 2-2 载子飘移(drift)-2; 2-3 载子扩散(diffusion); 2-4 载子产生与重合(generation and recombination); 2-5 连续方程式; 2-6 热发射(thermionic emission)与穿隧(tunneling); 2-7 空间电荷与高电场效应; Chapter - 2 练习题

第三周 P-N接面 P-N Junction: 3-1 基本半导体技术; 3-2 热平衡状态; 3-3-1 空乏区与空乏电容 - 1; 3-3-2 空乏区与空乏电容 - 2; 3-4-1 电流-电压特性 - 1; 3-4-2 电流-电压特性 - 2; 3-5 储存电荷; 3-6 接面崩溃; Chapter - 3 练习题

Midterm Exam: Midterm Exam

第四周金氧半电容器 MOS Capacitor: 4-1 理想MOS电容器 - 1; 4-2 理想MOS电容器 - 2; 4-3 SiO2-Si MOS电容器; 4-4 绝缘层中的载子传输与崩溃; Chapter – 4 练习题

第五周金氧半场效电晶体 MOSFET: 5-1 MOSFET简介; 5-2 基本操作特性 - 1; 5-3 基本操作特性 - 2; 5-4 组件类型与启始电压(threshold voltage); 5-5 短通道效应; 5-6 组件结构与设计; 5-7 CMOS逆变器及新型MOSFET简介; 5-8 MSRAM, DRAM与半导体简介; Chapter – 5 练习题

第六周非挥发性半导体记忆体 Non-volatile Semiconductor Memory: 6-1 Non-Volatile Semiconductor Memory (NVSM) 簡介; 6-2 Floating gate concept; 6-3 Historical development of the floating gate NVSM; 6-4 Applications of NVSM; 6-5 Scaling challenges; 6-6 Alternative device structures; Chapter – 6 练习题

Final Exam: Final Exam

先决条件

没有。

讲师

施敏

平台

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