微电子电路基础
date_range Débute le 16 mars 2015
event_note Se termine le 26 juin 2015
list 12 séquences
assignment Niveau : Introductif
label Mathématiques et Statistiques
chat_bubble_outline Langue : Chinois
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Les infos clés

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En résumé

本课程主要介绍基于MOS晶体管的微电子电路的基础知识,包括MOS晶体管的工作原理、MOS晶体管组成的模拟电路和数字电路等。

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Le programme

第一周 PN结

    1 PN结简介

    2 PN结的平衡状态

    3 能带图


第二周 MOS晶体管原理

    1 MOS结构的阈电压

    2 MOSFET的直流电流电压方程

    3 MOSFET的交流小信号参数及等效电路


第三周 单级放大器

    1 模拟电路基础概念

    2 基本共源放大器

    3 共源放大器的拓展

    4 源极跟随器

    5 共栅放大器

    6 共源共栅放大器


第四周 差分放大器

    1 差模信号与共模信号

    2 基本差分对

    3 共模响应

    4 基本电流镜

    5 有源电流镜


第五周 频率响应

    1 波特图回顾和开环时间常数

    2 密勒效应

    3 MOS晶体管的高频模型

    4 共源高频响应

    5 源随高频响应

    6 共栅高频响应

    7 共源共栅高频响应

    8 差分的高频响应


第六周 反馈和运算放大器

    1 反馈介绍和四种基本反馈

    2 四种基本反馈(续)

    3 反馈参数和稳定参数

    4 频率补偿

    5 运算放大器简介和参数

    6 共源共栅放大器

    7 折叠共源共栅放大器

    8 放大器的设计和总结


第七周 数字电路基础

    1 CMOS数字电路介绍

    2 基本逻辑门的类型

    3 基本逻辑门的输入与输出


第八周 CMOS数字电路

    1 CMOS数字电路的特性

    2 CMOS反相器

    3 CMOS逻辑电路

    4 其它MOS逻辑电路


第九周 课程设计


第十周 课程设计


第十一周 回顾与复习


第十二周 复习与考试



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Les intervenants

  • 桂小琰
    讲师
  • 孙业钦
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  • 肖磊
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  • 杨建勋
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Le concepteur

北京理工大学(Beijing Institute of Technology),是中华人民共和国工业和信息化部直属的以理工为主干,工、理、管、文协调发展的全国重点大学,是首批“211工程”和“985工程”重点建设高校之一,是首批16所全国重点高校之一,是“111计划”、“卓越工程师教育培养计划”、“国家建设高水平大学公派研究生项目”入选高校之一,建有研究生院。学校前身为1940年创建于延安的延安自然科学院,是中国共产党创办的第一所理工科大学;1988年,学校更名为北京理工大学。

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