半导体元件物理
date_range Débute le 22 septembre 2015
event_note Se termine le 15 décembre 2015
list 3 séquences
assignment Niveau : Introductif
chat_bubble_outline Langue : Chinois
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Les infos clés

credit_card Formation gratuite
timer 6 heures de cours

En résumé

本课程的内容由浅而深循序渐进,从基础的物理和电容器结构的基本运作,接续讨论MOSFET及NVSM之结构与操作,可让修课的学生一窥半导体最重要元件的奥妙。

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Le programme

第一周 课程概论 Introduction, Energy Bands and Carrier Concentration in Thermal Equilibrium
0-1 课程介绍、电子与半导体产业的演进
0-2 半导体元件基本架构与类型、半导体元件与电路技术之发展
0-3 元件技术发展走势
1-1 半导体材料与晶体结构
1-2 价键与能带
1-3 本质载子浓度
1-4 施体与受体
Chapter - 1 练习题
第二周 Current Transport Phenomena Equilibrium
2-1 载子飘移(drift)-1
2-2 载子飘移(drift)-2
2-3 载子扩散(diffusion)
2-4 载子产生与重合(generation and recombination)
2-5 连续方程式
2-6 热发射(thermionic emission)与穿隧(tunneling)
2-7 空间电荷与高电场效应
Chapter - 2 练习题
第三周 P-N接面 P-N Junction
3-1 基本半导体技术
3-2 热平衡状态
3-3-1 空乏区与空乏电容 - 1
3-3-2 空乏区与空乏电容 - 2
3-4-1 电流-电压特性 - 1
3-4-2 电流-电压特性 - 2
3-5 储存电荷
3-6 接面崩溃
Chapter - 3 练习题
Midterm Exam
Midterm Exam
第四周 金氧半电容器 MOS Capacitor
4-1 理想MOS电容器 - 1
4-2 理想MOS电容器 - 2
4-3 SiO2-Si MOS电容器
4-4 绝缘层中的载子传输与崩溃
Chapter – 4 练习题
第五周 金氧半场效电晶体 MOSFET
5-1 MOSFET简介
5-2 基本操作特性 - 1
5-3 基本操作特性 - 2
5-4 组件类型与启始电压(threshold voltage)
5-5 短通道效应
5-6 组件结构与设计
5-7 CMOS逆变器及新型MOSFET简介
5-8 MSRAM, DRAM与半导体简介
Chapter – 5 练习题
第六周 非挥发性半导体记忆体 Non-volatile Semiconductor Memory
6-1 Non-Volatile Semiconductor Memory (NVSM) 簡介
6-2 Floating gate concept
6-3 Historical development of the floating gate NVSM
6-4 Applications of NVSM
6-5 Scaling challenges
6-6 Alternative device structures
Chapter – 6 练习题
Final Exam
Final Exam
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Les intervenants

  • 施敏
assistant

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